改善處理器散熱效果 導熱介面材料漸夯

作者: 林苑卿
2013 年 12 月 18 日

面對高通(Qualcomm)、三星(Samsung)、聯發科等處理器大廠競相導入28奈米(nm)及以下製程量產64位元和八核心處理器,Honeywell已開發出能在嚴苛環境條件下保持高散熱性的導熱介面材料(TIM)–PTM系列產品,助力處理器加快將熱傳導出去,提高性能和可靠度。



Honeywell副總裁暨電子材料部總經理David Diggs認為,行動處理器規格不斷升級,將帶動導熱介面材料需求增加。



Honeywell副總裁暨電子材料部總經理David Diggs表示,隨著智慧型手機與平板裝置配備更先進的功能,處理器架構已加速朝64位元和八核心推進,導致晶片設計愈來愈複雜,且整合的晶片數量增多,也將造成處理器運作時溫度急遽上升,影響運算效能。


有鑑於此,Honeywell針對中央處理器(CPU)等半導體晶片已發布導熱介面材料,以達成熱管理的目的。Diggs指出,相較於傳統的處理器,64位元及八核心處理器對於散熱性要求更加嚴苛,預期對於導熱介面材料需求將大幅增溫。該公司導熱介面材料具備彈性,能適應不同的處理器空間,同時把熱傳導出去,將成為日後提升先進架構處理器性能和穩定度的一大關鍵。


Diggs強調,該公司已密切和先進製程的上中下游廠商緊密合作,以確保處理器大廠採用28奈米及以下製程投產64位元和八核心處理器時,能妥善解決散熱問題。


此外,Diggs透露,包括台積電在內等多家半導體大廠已針對16奈米、矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)等先進製程展開布局,因此該公司也將繼續與代表性的半導體業者密切合作,以滿足未來先進製程晶片的發展需求。

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