改用多晶矽鍺閘 p通道MOS開關時間縮短

作者: Rohit Dikshit
2012 年 03 月 12 日
多晶矽鍺閘MOSFET的下降時間與開關性能,較多晶矽閘更具競爭力,為縮減p通道MOSFET的開關時間,產業界已開始以多晶矽鍺閘取代傳統的多晶矽閘。不過,多晶矽鍺雖具發展潛力,卻面臨蝕刻效率和製程控制的複雜考驗,為廠商須克服的首要難題。
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