恩智浦(NXP)發表新款PowerMOS產品，其具備節能省電與精小尺寸的優勢特性，可提供原始設備製造商(OEM)高效能、高可靠性的開關應用解決方案。藉由將導通電阻降至最低來達到最大程度的節能與高效能的展現，幫助OEM提升產品競爭力。
 |
| 恩智浦標準產品事業部全球行銷副總裁Simon McLean表示，提升MOSFET效率與縮小尺寸是獲得客戶青睞的關鍵因素。 |
恩智浦標準產品事業部全球行銷副總裁Simon McLean表示，由於看準醫療保健與行動裝置市場潛力無窮，因此為滿足客戶產品的需求，提升金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)效率與縮小尺寸已勢在必行。而PowerMOS採用超接面(Super Junction)與LFPAK(Loss Free Package)的封裝技術，使MOSFET產品有創新與突破性發展。
McLean進一步指出，與過去的溝槽(Trench)式技術相比，PowerMOS溝槽的設計更深，這技術上的突破可使導通電阻降至最低，達到開關速度更快、熱穩定性更佳、輸出電流變大等優勢特性，可以提高效能，進而實現節能目的。因此在電源保護、開關電源和同步整流等電子設備中得到廣泛應用。
然而，尺寸的精小與封裝的品質亦為OEM關注的焦點。LFPAK是汽車產業標準AEC-Q101唯一認可的Power-SO8封裝形式，可在極端惡劣的工作條件下仍展現良好耐受性和可靠性。現今將其運用在NextPower系列25伏特(V)與30伏特的MOSFET，不僅其面積僅5毫米(mm)×6毫米，且耐熱溫度可高達175℃，大幅提升MOSFET品質。
由於高品質的生產過程，不但可提高客戶產品價值，更能夠降低其成本，因此McLean強調，有別於其他競爭對手，僅以百萬個作為單位檢測是否有瑕疵品，恩智浦則以每十億個作為單位做檢測，而瑕疵品仍相當的低。以2011年為例，該公司出貨近七百億個MOSFET，每十億個MOSFET卻只有不到四個瑕疵品，此數據不僅保證生產過程的高品質，更可為客戶降低風險、節省生產成本。
