飛索(Spansion)預定於2013年7～9月，完成富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、類比及混合訊號部門購併，未來將加速整合該部門技術資源，以及自家的嵌入式電荷擷取(eCT)快閃記憶體技術，全力加速嵌入式快閃記憶體(eFlash)MCU研發，預計於2015年發布首款產品。
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| 飛索資深副總裁暨全球技術長Saied Tehrani表示，飛索購併富士通半導體MCU和類比業務後，將可進一步擴大在汽車、工業和消費性電子等嵌入式系統市場的產品線陣容。 |
飛索資深副總裁暨全球技術長Saied Tehrani表示，該公司在嵌入式市場與快閃記憶體領域已累積不少成果，若再結合富士通半導體MCU、類比業務相關產品和技術，以及其在日本市場的優勢，將可進一步擴大市場版圖，帶動飛索快閃記憶體產品銷售成長。
據了解，在雙方購併作業完成後，富士通半導體將成為飛索MCU和類比業務的晶圓代工廠，並將沿用既有的55奈米、65奈米及90奈米製程，為飛索量產eFlash MCU。
Tehrani指出，除合併富士通半導體資源外，飛索亦於近期與聯電達成40奈米製程合作協議，可望為旗下的系統單晶片(SoC)帶來優勢，未來也不排除透過該製程開發出更高性能、低功耗、高成本效益的MCU和SoC解決方案。
據悉，飛索與聯電的40奈米合作協議中，將授權聯電其獨家的eCT快閃記憶體技術，該技術類似飛索的MirrorBit技術，但經過修改和邏輯優化，故具備更快存取時間(低於10奈秒)和更低功率的特色，並易於與邏輯整合，較傳統編碼型(NOR)快閃記憶體生產方式使用更少的光罩製程步驟，讓eCT能整合快閃記憶體和高性能邏輯SoC產品，成為具有成本效益的解決方案。
面對eFlash MCU市場競爭者眾，Tehrani強調，該公司在非揮發性記憶體發展有悠久的歷史，並在嵌入式MCU和SoC獨立式快閃記憶體的eCT技術發展上超過10年經驗，且擁有的嵌入式快閃記憶體技術係專為先進的邏輯設計，因此具備更快存取速度、低功耗及高運算效率的優勢，有利於提高日後旗下eFlash MCU產品的市場競爭力。
