德州儀器(TI)宣布，已開始在日本會津廠生產氮化鎵(GaN)功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造產能，該公司GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。
德州儀器技術與製造資深副總裁Mohammad Yunus表示，這次會津廠通過驗證並展開量產的是8吋GaN製程。這是現今擴充性最高且最具成本競爭力的GaN製造技術。這個里程碑使該公司擁有更多的GaN晶片自有產能，並在2030年前將內部製造的比率提升至95%以上，同時也讓我們可從多個TI據點進行採購，確保整個高功率、節能半導體GaN產品組合的可靠供應。
在功率應用上，以GaN做為矽的替代方案可提供多重優勢，包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。GaN晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空間提供更多功率，使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。德州儀器提供的整合式GaN功率半導體產品組合十分寬廣，從低電壓到高電壓都包含在內，藉此實現最為節能、可靠且具高功率密度的電子產品。
德州儀器高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian表示，GaN技術讓該公司能更有效率地在小巧空間中提供更高效的功率，這也是推動我們眾多客戶創新的主要市場需求。諸如伺服器電源、太陽能發電和AC/DC轉接器等系統的設計師，正面臨必須要減少功耗並提升能源效率的挑戰，對高性能GaN晶片可靠供應的需求也與日俱增。德州儀器的整合式GaN功率級產品組合讓客戶可實現更高的功率密度、提升易用性，並降低系統成本。
TI增加GaN製造規模的性能優勢使其可將GaN晶片提升至較高的電壓，從900伏特開始，隨著時間推移增加至更高的電壓，藉此進一步推動機器人、再生能源和伺服器電源等應用的能源效率與尺寸創新。此外，TI的擴大投資包含於今年稍早在12吋晶圓上成功進行GaN製造的試行作業。TI持續擴大的GaN製程技術可以完全轉換至12吋晶圓上，讓其能隨時根據客戶需求進行調整，並在未來移轉至透過12吋技術進行生產。
