材料/EDA全面動員 先進製程繼續向前走
由於美中科技戰越演越烈，美國政府對半導體曝光設備出口到中國，訂下越來越嚴密的規範，導致在中文科技媒體圈裡面，對曝光設備，尤其是專門用來實現7奈米以下製程的極紫外光(EUV)曝光機的討論，已到了汗牛充棟的地步。有許多觀點甚至將中國半導體製造業發展先進製程時所遭遇到的問題，都歸咎在美國政府對中國的禁運上。但半導體製造技術的發展，除了曝光、沉積、蝕刻這些關鍵步驟所使用的機台外，環繞在這些設備周邊的材料，也會對設備本身的性能、生產良率的高低，產生巨大影響。...
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