東芝MOSFET採新製程提高電源效率

2020 年 04 月 30 日

東芝(Toshiba)日前推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。

新產品為兩款封裝,一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM,並於即日起出貨。

由於採用了最新一代製程技術,比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比,新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構,漏源導通電阻與閘極電荷特性之間的平衡也得到了改善,此款IC可提供業界較低功耗。

應用場合包括開關電源(高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等)以及馬達控制設備(馬達驅動器等);至於產品特性包含低功耗(透過改善導通電阻與閘極電荷特性之間的平衡)、高額定通道溫度:Tch=175℃。而該產品低導通電阻:VGS=10V(TPH2R40QM)時,RDS(ON)=2.43mΩ(最大值);VGS=10V(TPN19008QM)時,RDS(ON)=19mΩ(最大值)

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