台灣碳化矽(SiC)長晶技術領導廠商格棋化合物半導體公司於23日舉行中壢新廠落成典禮，並宣布與國家中山科學研究院及日本三菱綜合材料商貿株式會社(Mitsubishi Materials Trading Corporation)合作。與中科院的合作將聚焦在高頻通訊領域的應用；與三菱綜合材料商貿株式會社的合作，則以開拓日本民生、車用市場為目標。
格棋成立於2022年，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的製程技術開發。研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿產。其中6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，至2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，大幅提升整體產能。到2025年時，格棋計畫將把8吋長晶爐的規模擴張到200台，顯示該公司將把重心逐漸往8吋碳化矽晶錠(Ingot)、晶圓轉移。目前8吋碳化矽產品還在開發階段，預期2025年可以正式進入量產階段。
格棋董事長張忠傑表示，中壢新廠的落成是格棋發展的重要里程碑。我們將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。
格棋/中科院合作布局射頻應用
在新廠落成之際，格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用的碳化矽元件。透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。格棋技術長葉國偉表示，射頻與車用碳化矽是兩條不同的技術路線，需要的產品規格不同。車用市場規模大，是格棋未來布局的重心，但射頻應用有其獨特的價值與利基，因此格棋決定與中科院合作，取得射頻應用需要的半絕緣晶體長晶技術授權，進而在射頻市場上展開耕耘。
中科院院長李世強博士指出，隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件逐漸取代傳統矽基高頻元件。我們期待與格棋的合作能為台灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，強化國家在全球通訊產業鏈中的戰略地位。
結盟三菱綜合材料商貿共同拓展日本市場
另一方面，格棋亦宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠、晶圓。格棋亦不排除會進一步整合台灣的合作夥伴資源，向日本客戶供應磊晶片。三菱綜合材料商貿社長橋本良作認為，台灣和日本在半導體產業皆具關鍵影響力。我們看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，相信與格棋的合作將為雙方帶來互利共贏的機會。
中壢新廠落成 碳化矽供應鏈在地化跨大步
格棋技術長葉國偉博士強調，碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。我們的目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術，以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。
隨著中壢新廠的落成，以及與不同領域夥伴的戰略合作，格棋化合物半導體正式邁入另一發展階段，未來將持續投資研發，優化製程技術，提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三代半導體產業中的領先地位。
