格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技術，將可為新一代的行動與消費性應用實現三維(3D)晶片堆疊，位於紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產工具，可在半導體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術，作業於20奈米技術平台上。
格羅方德技術長Gregg Bartlett表示，為解決這些新矽節點上的挑戰，該公司與合作夥伴共同開發封裝解決方案，用多元合作的方式，為客戶提供最大的選擇與彈性，同時節省成本、縮短量產時間，並降低開發新科技的風險。在晶圓八廠內，為20奈米技術導入TSV功能，可結合整個半導體生態系統中的設計至組裝測試公司，建立共同開發與製造的合夥關係。
TSV功能允許客戶將多個晶片垂直堆疊，為未來電子裝置的嚴苛需求開創新道路。TSV的本質是在矽上以蝕刻方式垂直鑽孔，再以銅填滿，使垂直堆疊的整合式電路間得以進行通訊。例如，該技術允許電路設計師將記憶體晶片的堆疊放置在應用程式處理器之上，大幅提升記憶體頻寬及降低耗電量。這也是新一代行動裝置，如智慧型手機及平板電腦設計師所面臨的最大難題。
在節點中採用3D整合式電路堆疊，逐漸被視為一種替代方案，可用以調整在電晶體上的傳統技術節點。然而，引進新的封裝技術後，晶片封裝的相互作用複雜性也大幅提升，代工廠與合作夥伴在提供端對端的解決方案時，也較不易滿足多元的設計需求。
格羅方德新晶圓八廠聚焦於32/28奈米及以下製程，而20奈米的技術開發目前正順利進行中。第一個採用TSV的全流式矽(Full-Flow Silicon)預計將於今年第三季在晶圓八廠內開始運作。
格羅方德網址：www.globalfoundries.com
