先進製程晶圓代工市場戰火愈演愈烈。繼台積電宣布將分別於2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程後，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前台積電1年，於2014年導入14奈米量產，並將發揮FinFET專利數量優勢，於2015年搶先進入10奈米世代，讓雙方競爭更趨白熱化。
格羅方德先進技術架構副總裁Subramani Kengeri表示，格羅方德自尚未從超微(AMD)分割出來前，就已與IBM緊密合作開發FinFET製程、材料與設備技術，至今已累積超過10年豐富經驗，同時也掌握全球現有70%專利，因此可望領先群倫在2014年推出14奈米FinFET晶圓前段閘極製程加20奈米後段金屬拉線製程的混搭方案。
因應上述混搭方案發展，該公司亦將在今年下半年推出20奈米高介電係數金屬閘極(HKMG)製程，一方面增強與台積電在市場上競爭的實力，另一方面也能藉優化20奈米產線的經驗，加速提升14/20奈米混搭製程良率。Kengeri指出，格羅方德幾乎與英特爾(Intel)在同一時間投入發展FinFET，加上後續又與IBM、三星(Samsung)組成策略聯盟並產出大量專利，所以能緊追英特爾之後，成為第一個克服FinFET商用量產桎梏的晶圓代工業者。
不僅如此，格羅方德亦正緊鑼密鼓研擬第二代FinFET電晶體架構，以及10奈米製程所需的三重曝光(Triple-patterning)技術，從而在晶圓前後段製程均實現FinFET架構，更進一步增強產品效能並縮減尺寸及功耗，預計2015年即可進入量產。
據悉，晶圓代工廠從傳統SiON/Poly，或目前28/20奈米主流HKMG製程轉換至FinFET，將面臨電晶體架構驗證、矽智財(IP)設計，以及蝕刻、曝光等設備開發問題，必須仰賴長久的研發投資與技術優化，才能取得關鍵製程參數，並順利導入商用。
Kengeri強調，格羅方德目前已擁有不少28奈米投片案，在晶圓代工市場上坐二望一；同時因最早投入FinFET開發，經年積累下來的Know-how，不是其他業者短期內擴增研發預算或設備投資就能迎頭趕上；因此，未來將可在市場上擴大競爭優勢。
