歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors)紅外線晶片原型產品創新紀錄，效率最高可達72%。在實驗室條件下，1安培(A)操作電流下的輸出約為930毫瓦(mW)，該紅外線晶片的光輸出比市面上目前可得的晶片高約25%，這表示未來的紅外線發光二極體(LED)省電效率將會更高。
這項輸出效率是在室溫及最高1A的直流電操作電流下測得的。這晶片的波長為850奈米(nm)，專門為紅外線照明應用而設計。
這項由雷根斯堡研發實驗室得出的成果，以紅外線薄膜晶片技術製成的1平方毫米晶片，在100毫安培(mA)的操作電流下的效率可達72%。這種效率稱為功率轉換效率(Wall Plug Efficiency, WPE)，指的是輻射功率轉換成電輸出功率的效率。
外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)，也就是從每個電子中創造出光子及從LED晶片發射出來的機率最高可高達67%，在最高1A操作電流下也高於64%。
歐司朗光電半導體雷根斯堡總部的IRED開發專案經理Markus Bröll指出，提高效率與亮度的作法，可從850nm轉移到其他的波長上去。這代表紅外線照明未來很可能創造出省電效率更高的解決方案。
這項開發案的成果，現在已按階段逐一實現之中，預計新的晶片會在明年初與明年中之間加入系列化產品。
歐司朗光電半導體網址：www.osram-os.com
