浮動閘極NAND面臨微縮瓶頸 3D/電荷擷取技術露鋒芒

作者: Saied Tehrani
2013 年 08 月 05 日
NAND Flash記憶體進入20奈米以下製程節點後,將面臨嚴峻的微縮挑戰,因此記憶體製造商已加緊投入新技術研發,期以三維(3D)空間儲存格結構或電荷擷取(Charge Trap)技術,實現小尺寸、高容量、高穩定度且兼顧開發成本的新一代NAND...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

了解成本/電流/最大輸出功率 ZigBee RF收發器到位

2008 年 05 月 13 日

可快速符合新標準 DSP打造智慧電網新樣貌

2012 年 05 月 28 日

新設計要求靈活性/多模支援 次世代智慧電表門檻拉高

2016 年 06 月 18 日

USB Type-C介面設計門檻高  TCPC解決電力傳輸難題

2017 年 03 月 23 日

評估套件助力 感測器設計成本有效減少

2018 年 04 月 23 日

DDC即時監控達陣 直接數位控制器實現建築永續

2023 年 12 月 13 日
前一篇
高階智慧手機訂單湧進 友達LTPS/OLED營收可期
下一篇
太克擴展高效能混合訊號示波器產品系列