消除快閃記憶體技術轉型障礙 RG 3D NAND引領儲存新世代

作者: Scott DeBoer
2021 年 02 月 15 日
伴隨著行動科技的推陳出新、5G爆炸性成長、雲端資料快速蔓延,以及固態硬碟(SSD)需求的持續暢旺,儲存產業對記憶體及儲存裝置容量和效能的要求更形嚴苛。儘管在單晶粒容量、電源效率與傳輸量的性能表現上,NAND快閃記憶體技術已攀上新高峰,但受制於傳統NAND技術的瓶頸,依然無法實現最佳的效能和容量設計。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

物聯網應用帶動SSD需求 商業/類工控首重穩定與成本

2018 年 06 月 24 日

導入複合記憶體架構 嵌入式顯示器效能更上層樓

2012 年 08 月 30 日

記憶體加入ECC功能 嵌入式系統提升抗誤碼能力

2013 年 02 月 25 日

系統架構/連接器規格翻新 USB 3.1傳輸效能大躍進

2014 年 04 月 06 日

具備低耗電/高頻寬優勢 SlimPort搶進行動裝置

2014 年 04 月 13 日

美光176層QLC NAND SSD量產 強攻消費型筆電市場

2022 年 01 月 13 日
前一篇
Fintech科技金融潮流盛大 如何挖掘出數據金礦?
下一篇
意法新增非對稱拓撲產品