AI、5G應用推動晶片微縮化，要實現5nm、3nm等先進製程，意味著需要更新穎的技術支援以進行加工製造，半導體設備商遂陸續推出新一代方案。AI、5G應用推動晶片微縮化，要實現5nm、3nm等先進製程，意味著需要更新穎的技術支援以進行加工製造，為此，艾司摩爾(ASML)持續強化極紫外光(EUV)微影系統效能。
艾司摩爾(ASML)資深市場策略總監Boudewijn Sluijk表示，VR/AR、自動駕駛、5G、大數據及AI等，持續推動半導體產業發展，為滿足各式應用、資料傳輸，以及演算法需求，晶片效能不斷提高的同時，還須降低成本，而極紫外光(EUV)在先進製程中便扮演關鍵的角色。
Sluijk進一步指出，過往採用ArFi LE4 Patterning或是ArFi SAQP進行曝光的話，要實現7nm、5nm，須經過許多步驟。例如用ArFi LE4 Patterning需要4個光罩、4次曝光，用ArFi SAQP需要6個光罩、9次曝光，而EUV只需一個光罩、1次曝光(圖2)。相較之下，採用EUV技術不但可有效簡化製程，加快產品設計時程，也因為曝光次數明顯減少，因而可有效降低成本，滿足晶片設計高效能、低成本的需求，因此，市場對於EUV的需求有增無減。
據悉，ASML的EUV系統現在可用於7nm生產，滿足客戶對可用性、產量和大量生產的需求。到了2019第2季季末，目前半導體領域已經有51個EUV系統(包含NXE：33xx、NXE：3400B)，而該公司在2019年的銷售目標為30台EUV，目前已出貨11台，而在第2季再度接獲10台EUV極紫外光系統的訂單，顯示市場對於EUV設備的需求相當強勁。因此，ASML的出貨計畫將著重於2019年下半年和第4季，而2019年的整體營收目標維持不變。
然而，隨著晶圓產能不斷增加，ASML也持續推出生產力更高的EUV設備。Sluijk透露，目前EUV系統在晶圓廠客戶端每天生產的晶圓數量超過1,000片，為此，ASML持續強化EUV微影系統「NXE:3400C」的量產效能，不僅在ASML廠內展示每小時曝光超過170片晶圓的實力，在客戶端實際生產記憶體晶片的製造條件下，也成功達到每天曝光超過2,000片晶圓的成果，甚至達到2,200片的紀錄。另外，ASML也計畫在2020上半年推出生產力更高的設備，將NXE：3400C的生產率提升至> 185 wph。
同時，除了提升設備生產量之外，因應未來先進節點，ASML也計畫推出全新EUV設備，名稱為EXE，不僅擁有新穎的光學設計和明顯更快的平台，且數值孔徑更高，為0.55(High-NA)，進一步將EUV平台延伸至3nm節點以下，擴展EUV在未來先進節點中的價值。
Sluijk說明，此一產品將使幾何式晶片微縮(Geometric Chip Scaling)大幅躍進，其所提供的分辨率和微影疊對(Overlay)能力比現有的NXE:3400高上70%。EXE平台旨在實現多種未來節點，首先從3奈米開始，接著是密度相近的記憶體節點。另外，EXE平台有著新穎的光學設計，並具備更高的生產力和更高的對比度，以及更高的生產量，每個小時> 185 wph，且Reticle stage比NXE:3400快上4倍；Wafer stage比NXE:3400快上2倍。
Sluijk指出，該公司的EUV平台擴展了客戶的邏輯晶片和DRAM的產品路線圖，透過提供更好的分辨率、更先進的性能，以及逐年降低的成本，EUV產品將會在未來十年到達一個經濟實惠的規模。
