為在兼顧小尺寸前提下，提高功率密度，快捷(Fairchild)推出功率級非對稱雙金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，以因應運算裝置追求更快處理器執行速度與更小體積的設計要求。
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| 快捷半導體資深產品總監陳建中表示，除了筆記型電腦、伺服器、遊戲機等25～30安培的應用之外，FDMS36xxS系列支援5安培的方案亦獲得不少平板裝置廠商青睞。 |
快捷半導體資深產品總監陳建中表示，筆記型電腦、負載點(Point-of-load)、伺服器、遊戲機和電信應用，對更快運算速度的處理器需求上揚，更高電流、更多相位已為大勢所趨，但更多相位代表需要更多MOSFET，因而易導致電路板尺寸縮減的因難。有鑑於此，快捷遂發表功率級雙MOSFET元件FDMS36xxS系列，可滿足電源設計人員對高功率密度和簡易設計的要求。
陳建中指出，快捷新推出的單顆雙MOSFET元件可取代傳統兩顆甚至多顆MOSFET，因此可節省50%以上相位與MOSFET接腳面積，最高可支援30安培的電流應用。該產品係在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體，故可強化效能，且開關節點已於內部連接，能輕易進行同步降壓轉換器的布局與走線，尤其適用於高電源密度的負載點和多相位同步降壓直流對直流(Synchronous Buck DC-DC)的設計應用。此外，該產品採用快捷專有的Shielded Gate技術可減少轉換節點間的相互干擾，降低使用額外搭載的緩衝器數量，以縮減電路板空間與元件數量。
