為滿足5G基地台高頻需求，拉高整合層級的砷化鎵製程將是勢在必行。由於功率表現上的優勢，砷化鎵顯然在4G功率放大器(PA)市場，透過與CMOS製程的角力，奪得一片天。但朝向未來的5G，在功率表現上更具優勢的氮化鎵製程，卻開始緊追在後。因此，促使砷化鎵逐步達成one-chip解決方案的SoC，藉此高效率地滿足5G基地台的高頻需求，將會是砷化鎵與氮化鎵產生差異的關鍵。
穩懋半導體技術處長王文凱指出，現階段來看，「價格」仍是砷化鎵製程難以完全取代CMOS製程的原因，具有價格優勢的CMOS製程，能掌握諸多對功率較不講究的應用市場。這恐怕是砷化鎵製程永遠也無法超越CMOS製程之處，因此該公司相當重視在5G高頻基礎建設(Infrastructure)的發展，主要的原因在於，若沒有回程線路(Backhaul)的網路，即便手機有再多的mmWave功能，也是沒有用的。
由於砷化鎵製程在價格上的致命傷，若要在智慧型手機等消費性產品上與CMOS製程拼出高下，顯然不是智慧之舉。因此從5G基礎建設著手，也就成為業界在推展砷化鎵製程上的一大方向，即便這樣的發展，往往在一般消費性市場較不顯著，但現已是推動功率半導體大步向前的一大動能。
王文凱進一步表示，小型基地台(Small Cell)是我們希望未來砷化鎵製程所能著墨之處，主要的原因在於其在價格上的容忍度，相較於手機應用是比較高的，且其並不是可攜式裝置，必須在建築物上插電(Plug-in)，對功率表現度的要求也比較高。
就整體市場來看，砷化鎵若要在高整合度的CMOS製程，與高功率表現度的氮化鎵(GaN)製程之間，發揮所長，其勢必得透過製程與封裝，持續將整合度的層級拉高。
王文凱進一步指出，相較於氮化鎵製程，砷化鎵較有機會做到one-chip解決方案，因氮化鎵若要達到此類型的解決方案，所須耗費的時間非常長，這也就讓砷化鎵很有潛力成為僅次矽，達成SoC的唯一製程。因此，在功率上優於CMOS製程、在整合度上優於氮化鎵的砷化鎵，也就能在5G的中功率裝置上，發揮出相當的價值。
王文凱也透露，多數人對砷化鎵製程的印象，停留在手機的假晶高速電子移動電晶體(pHEMT)，不過事實上，GaAs pHEMT如今在電信營運商所部署的基站Backhaul已扮演相當重要的角色，且頻率達到90GHz以上，這包含了數據中心裡的光纖(Fiber)、基地台上運用微波方式來傳遞訊號的天線等，都是GaAs pHEMT的應用範疇。
