艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產業突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光製程技術關卡，讓微影(Lithography)技術及其設備更臻成熟，加速製程微縮技術的商用化。
ASML總裁暨執行長Martin van den Brink表示，長期以來，該公司與IMEC的合作，已促成半導體製程發展不斷突破；而此次的合作案，預期將進一步加快先進奈米製程技術及其相關設備的進展。
據了解，ASML和IMEC為確保未來10奈米以下製程中，關鍵晶圓尺寸的一致性和曝光重疊(Overlay)控制符合要求，將聯手研究在曝光製程中不同步驟的相互影響性；並將於先進曝光中心導入實際的元件，藉此分析和最佳化製程步驟，以及材料和元件結構的選擇。
IMEC總裁暨執行長Luc Van den hove強調，雙方的合作將加快擴充10奈米製程的微影技術知識庫(Knowledge Base)，並獲取最先進的10奈米以下曝光製程技術，其將成為日後解決製程微縮和基礎建設(Infrastructure)窒礙的關鍵。
據悉，先進曝光中心將集結ASML和IMEC的專長、工程能力及曝光基礎建設，以因應投入研發過程中面臨的窒礙、基礎建設投資及所需的曝光知識。其中，ASML將支援先進曝光中心的先進掃描機、量測系統(Metrology System)及全面微影(Holistic Lithography)方案。
至於IMEC則將偕同材料和設備供應商、整合元件製造商(IDM)、晶圓代工廠和無晶圓(Fabless)廠等合作夥伴網絡，協助打造全球領先的潔淨室基礎設備(完整的300毫米晶圓試產線，並可延伸至450毫米晶圓)。
該中心將設在位於比利時魯汶(Leuven)的IMEC園區內，預計未來幾年工程師數量將擴增至近一百位。
