面對儲存型快閃(NAND Flash)記憶體供貨緊縮，以及二維(2D)NAND Flash將於10奈米製程面臨微縮瓶頸，東芝(Toshiba)已於近期宣布將於2013年8月底展開五號半導體製造工廠(Fab 5)第二期建廠計畫，以因應未來NAND Flash擴產需求，並為日後投產3D NAND Flash預先做好準備。
為突破NAND Flash微縮關卡的主流技術，東芝正擘畫3D NAND Flash製程，東芝表示，未來將會有更多適用於3D NAND Flash的應用陸續出現，而五號半導體製造工廠擴產，將有助該公司提高市場競爭力，並迎合市場需求。
五號半導體製造工廠第二期工程除將成為往後該公司用以生產3D NAND Flash的利器之外，並將確保東芝可基於最新的奈米製程技術，持續擴產NAND Flash。東芝指出，智慧型手機、平板裝置、企業伺服器用固態硬碟(SSD)及其他新應用不斷增長的需求，正帶動NAND Flash產業復甦，而考量長期的市場供需平衡，東芝已計畫投入五號半導體工廠的擴產。
據了解，五號半導體製造工廠第二期將擁有具備減震結構設計的自動化產品運輸系統，以避免地震時工廠崩塌造成環境的負荷；並有發光二極體(LED)照明和最新的節能生產設施的部署，可充分和有效的利用餘熱，相較於四號半導體製造工廠，預計將削減13%的二氧化碳排放量。
據悉，東芝於日本三重縣四日市已擁有三座晶圓廠，大規模量產NAND Flash，其中包括五號半導體製造工廠第一階段廠房。
