無預充電DRAM改善潛伏時間/功耗　嵌入式應用系統效能提升

作者： 湯朝景
2017 年 12 月 16 日
動態隨機存取記憶體(DRAM)的最大優勢是集積密度很高，尤其是使用1T1C的物理結構而形成的DRAM晶片。如果要使用標準CMOS製程技術來形成電容器則有一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)的物理結構，另一種則是金屬-氧化層-金屬(MOM)的物理結構。然而，MIM電容器以及MOM電容器的布局面積或製作成本將有可能大於靜態隨機存取記憶體(SRAM)，特別是經過減少電晶體數量之後的4T...
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