瑞薩功率MOSFET縮減40%安裝面積

2012 年 04 月 27 日

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出八款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品–20伏特(V)(VDSS)µPA2600與30V µPA2601,專為智慧型手機與平板電腦等可攜式電子產品設計,皆備低損耗(低導通電阻)效能,並採用超小型2毫米(mm)×2毫米封裝,可為小型行動裝置提供高能源效率。
 



隨著高功能性智慧型手機大受歡迎,以及使用者對於這些手持裝置無縫體驗的期待,市場對於外形尺寸更短小輕薄、耗電量更低以提供更長電池使用時間的需求持續升高。為符合上述需求,研發人員轉而尋求具備更低導通電阻的功率MOSFET,以應用於大電流之充電/放電控制、射頻(RF)功率放大器開/關控制,以及過電流截斷開關。
 



µPA2600與µPA2601可使可攜式裝置更加小型化並提供低導通電阻,能同時在多種應用中縮小安裝面積,包括負載開關(開啟或關閉供應至IC的電源)、可攜式裝置中的充電/放電控制,以及RF功率放大器(高頻率訊號放大器)中的開/關控制與過電流截斷開關。此外,此新款功率MOSFET為環保產品,符合RoHS指令,並且不含鹵素。
 



各種裝置類型具備不同的電壓與極性,例如功率MOSFET,必須符合智慧型手機等可攜式裝置所使用的電源供應器規格。為因應上述持續變動的需求,瑞薩持續致力於降低導通電阻並開發更小型的封裝,同時提供更多樣化的產品系列。
 



瑞薩電子網址:www.tw.renesas.com

標籤
相關文章

瑞薩電子推出32位元Gigabit乙太網路MCU

2011 年 07 月 04 日

瑞薩發表32位元MCU支援乙太/MOST網路

2011 年 07 月 06 日

瑞薩GaN功率放大器模組實現高輸出/低失真

2011 年 07 月 11 日

瑞薩電子發布具備先進即時控制功能MCU

2011 年 07 月 12 日

瑞薩電子32位元MCU瞄準數位電源控制市場

2012 年 05 月 02 日

瑞薩電子16位元MCU符合USB BC1.2標準

2013 年 02 月 05 日
前一篇
TI單通道閘極驅動器簡化開關電源設計
下一篇
太克Thunderbolt實體層電氣驗證方案獲英特爾採用