瑞薩電子(Renesas Electronics)推出專為智慧型手機與平板電腦等可攜式電子產品所設計之八款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品。上述新款裝置包括20V(VDSS)–µPA2600與30V–µPA2601，皆具備業界的低損耗(低導通電阻)效能，並採用超小型2毫米(mm)×2毫米封裝，可為小型行動裝置提供更高的能源效率及小型化。
隨著高功能性智慧型手機大受歡迎，以及使用者對於這些手持裝置無縫體驗的使用期待，市場對於外形尺寸更短小輕薄、耗電量更低以提供更長電池使用時間的需求持續升高。為符合上述需求，研發人員轉而尋求具備更低導通電阻的功率MOSFET，以應用於大電流之充電/放電控制、射頻(RF)功率放大器開/關控制，以及過電流截斷開關。
新款µPA2600與µPA2601 MOSFET能使可攜式裝置更加小型化並提供領先業界的低導通電阻，同時在多種應用中縮小安裝面積，包括負載開關(開啟或關閉供應至IC的電源)、可攜式裝置中的充電/放電控制，以及RF功率放大器(高頻率訊號放大器)中的開/關控制與過電流截斷開關。
各種裝置類型具備不同的電壓與極性，例如功率MOSFET，必須符合智慧型手機等可攜式裝置所使用的電源供應器規格。而為了因應上述持續變動的需求，瑞薩持續致力於降低導通電阻並開發更小型的封裝，同時提供更多樣化的產品系列。
瑞薩電子網址：www.tw.renesas.com
