盛美半導體設備日前宣布，為其不斷發展的300mm Ultra Fn立式爐幹法製程設備產品系列，增加了以下半導體製造製程：非摻雜的多晶矽沉積、摻雜的多晶矽沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火。
盛美先前已發布了應用於氧化物、氮化矽(SiN)低壓化學氣相沉積(LPCVD)和合金退火製程功能的立式爐系統，基於該可配置的立式爐平臺，盛美開發了上述新功能。支援這些新應用的立式爐設備現已交付或預計陸續於2021年上半年內交付到用戶端。
盛美半導體設備董事長王暉表示，該公司的戰略始終是找到半導體製造行業中具有高成長潛力的市場和應用，並且與客戶合作，開發出先進技術來解決這些問題。現在，他們能夠進行80%以上的批式熱製程，包括用於SiN，HTO的LPCVD製程，非摻雜多晶矽和摻雜多晶矽沉積，柵極氧化物沉積製程，高達1,200攝氏度的高溫氧化和退火製程。 這一新產品線的迅速導入，也進一步證明他們與核心客戶合作戰略的成功。
隨著半導體元件體積的不斷縮小和複雜度的增加，Ultra Fn系統的設計始終是為了尋求滿足客戶需求的最佳解決方案。當今的元件設計的高複雜度、微小幾何尺寸，對熱製程的溫度控制的均一性與穩定性提出了高要求，這對晶圓良率至關重要。為了滿足這些要求，Ultra Fn加熱器開發了獨有的控制演算法，使該平台具有穩定的溫度控制性能。
