在早前公布未來十年針對碳化矽(SiC)的10億美元投資計畫後，國際功率元件商II-VI日前進一步宣布擴廠，將計畫付諸實行。據悉，該公司本次投資鎖定6吋(150mm)與8吋(200mm)碳化矽基板以及磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)，即將在美國賓州Easton與瑞典Kista進行大規模擴廠。
II-VI新風險投資和寬頻電子技術部執行副總裁Sohail Khan表示，此波電動車需求浪潮將呼應當前工業、再生能源、資料中心等領域的發展，為了迎接電動車針對碳化矽元件的需求浪潮，該公司客戶正在加速推進生產。Khan補充，在未來五年內，Easton工廠除了可讓II-VI在碳化矽基板的產能增加至少六倍之外，其更將成為該公司8吋碳化矽磊晶晶圓的指標製造中心。
隨著全球針對能源零碳(Decarbonize)的趨勢逐漸普及，萬物生產朝電動化(Electrification)加速邁進，也因而使諸如碳化矽的新興寬能隙材料越來越被業界採用。為了滿足業界的需求，II-VI在Easton建造近30萬平方英尺的工廠，其生產規模於2027年時，6吋基板單位產能將達到100萬片，而8吋也將逐年增加，以供應給歐洲市場。
此外，II-VI於聲明指出，擴產計畫也將利用Kista的磊晶晶圓技術，該技術的特性便是可在長晶過程中，利用單一或多重再生長(Regrowth)步驟達到厚層結構(Thick Layer Structure)，因此適合1,000V以上的功率元件。
