三星(Samsung)發表業界首顆基於3D NAND技術的固態硬碟(SSD)。三星電子於日前快閃記憶體高峰會議(Flash Memory Summit 2013)中推出採用3D V-NAND技術的固態硬碟，欲以1TB的超高容量與極高的可靠度鞏固該公司於商業伺服器及資料中心市場的勢力。
三星電子半導體研發中心執行副總裁E.S. Jung表示，該公司在10奈米(nm)以下製程克服巨大技術障礙，完成3D V-NAND應用產品，提供全球客戶更高密度及理想可靠度的產品。不僅如此，三星3D V-NAND技術能提升應用產品20%的效能表現，並減少40%的功率損耗。未來三星將持續提供伺服器、行動裝置與個人電腦(PC)等市場更低功耗的解決方案。
Jung強調，三星3D V-NAND的誕生將顛覆產業變革，猶如全球IT產業的數位大爆炸(Digital Big Bang)一般，將持續推升記憶體市場規模。他透露，三星V-NAND的垂直互聯製程使用特殊蝕刻(Etching)技術，從最高的儲存格層利用電子穿孔技術串聯至最底層，最多能垂直堆疊二十四層儲存格。在增加3D儲存格層數後，三星能突破平面NAND技術框架，在NAND快閃記憶體上實現更高的儲存格密度。
據三星官方資料指出，目前三星V-NAND固態硬碟提供960GB及480GB兩種版本容量。960GB版本固態硬碟利用64顆多層單元(MLC)3D V-NAND快閃記憶體，每顆可提供128Gb的儲存空間，可較前一代產品提高20%的序列(Sequential)及隨機(Random)寫入速度，並配有6Gbit/s的串列式先進附加技術(SATA)介面控制器。不僅如此，V-NAND固態硬碟亦可支援三萬五千次的抹寫次數限制(Program Erase Cycle)。
三星首波V-NAND固態硬碟已於8月初量產，鎖定資料中心及企業儲存等高階應用市場。三星認為，資料中心市場客戶投資設備不手軟，對產品的效能及功耗表現要求較高，但之後該公司將會推出針對PC市場的解決方案，以更具備成本效益及更高儲存密度的固態硬碟系列強化三星於記憶體市場的競爭力。
市調機構IHS iSuppli研究報告指出，2013～2016年全球NAND快閃記憶體市場產值將由約236億美元成長至308億美元，年複合成長率達11%，係帶動整體記憶體市場的重要元件。
