發光二極體(LED)驅動積體電路(IC)架構掀革新。LED驅動IC商已開始部署高功率LED驅動IC方案,將金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)獨立於LED驅動IC封裝外,以因應商業照明市場日益高漲的高瓦數照明需求。
意法半導體技術行銷經理吳玉君表示,今年下半年意法半導體LED驅動IC架構將會有新的轉變,並帶給客戶更多的產品組合選擇。 |
意法半導體(ST)技術行銷經理吳玉君表示,今年LED照明市場最主要的轉變在於客戶對於高功率LED照明燈泡類型如拋物面鍍鋁反射燈(Parabolic Aluminized Reflector Light)的需求上漲,此種聚光燈型經過電路串聯後,往往需要30~40瓦的功率才能啟動。
吳玉君指出,由於之前居家照明用的球泡燈僅需12瓦左右功率即可運作,因此,MOSFET大多由於空間限制,便與LED驅動IC封裝在一起。不過,這樣的封裝形式不僅限制驅動IC應用的LED燈瓦數,更重要的是若MOSFET導通電阻值(RDS(ON))低,則將以高電流運作,以提高效率,但其若同時與驅動IC放在一起,反而會讓燈泡整體功耗變高。
英飛凌(Infineon)電源管理及多元電子事業處資深經理張文貴亦有相似看法,他指出,燭光燈、球泡燈等封裝形式較小的LED燈可採整合式方案,至於戶外LED照明應用,則因其常有雷擊透過電力線傳導到接地線,進而對LED路燈照明品質產生干擾的情形,為提高驅動IC可靠度,1,000伏特(V)以上的高壓MOSFET將成為重要關鍵。
張文貴進一步指出,在這樣的應用中,若將MOSFET獨立於驅動IC外將是較好的安排,原因在於MOSFET與驅動IC於製程上有高低壓之分,若將兩者放在一起,結果將是MOSFET與驅動IC的功能將無法在電路設計過程中確實優化,廠商還須要加上更多元件補強功能,如此一來,整體電路板成本反而未必能因整合而降低。
吳玉君指出,意法半導體針對LED市場最新趨勢,將於今年第四季推出新的脈寬調變(PWM)LED驅動IC,並額外搭配800伏特MOSFET,這樣的驅動IC架構將有助於意法半導體搶攻高功率LED照明應用市場,並帶給客戶更多的設計彈性。