瑞薩電子(Renesas Electronics)USB 3.0晶片將導入40奈米製程。USB開發者論壇(USB-IF)日前才剛發布傳輸速率上看10Gbit/s的USB 3.0增強版草案，瑞薩電子亦宣布，將於今年下半年啟動40奈米(nm)製程產線，並提供特定應用積體電路(ASIC)客戶生產USB 3.0裝置端晶片，為日後量產USB 3.0增強版方案先行練兵，以利於規格底定後，搶先推出產品。
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| 台灣瑞薩電子第三應用技術部經理陳俞佐表示，該公司USB3.0實體層(PHY)製程將進入40奈米領域，並於下半年導入量產，為日後量產USB 3.0增強版IC預做準備。 |
台灣瑞薩電子第三應用技術部經理陳俞佐表示，傳輸速率較USB 3.0增加一倍的USB 3.0增強版IC要正式上市，至少尚需2～3年時間，因此該公司40奈米PHY製程初期主要用於ASIC客戶量產更有競爭力的USB 3.0裝置端晶片，為未來投產USB 3.0增強版IC暖身。
陳俞佐指出，40奈米製程的光罩費用昂貴，但可提供ASIC客戶更小體積的晶粒(Die Size)，且功耗將可較現有55奈米方案更低，可滿足不同客戶對於更低耗電量的要求，更具環保也符合Eco system。
據了解，在出貨量達一定規模下，目前採用55奈米製程生產的USB 3.0周邊晶片價格，約可較0.13微米製程降低約20%。陳俞佐預估，至40奈米製程，預計USB 3.0周邊晶片成本可望再下探，有助客戶拉大與競爭對手的差距。
隨著40奈米製程於下半年順利量產，瑞薩電子將成為業界首家導入40奈米製程生產USB 3.0的晶片商，而其產品耗電量與成本的優勢也將更加顯著。
