看準太陽能、電動車(EV)等高利潤利基型應用後勢潛力無窮，英飛凌(Infineon)、意法半導體(ST)、國際整流器(IR)、快捷(Fairchild)等半導體大廠已緊鑼密鼓地砸下重金展開藉由碳化矽(SiC)、矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)寬能隙化合物半導體開發功率元件計畫，將使寬能隙功率半導體市場卡位戰提前開打。
意法半導體大中華暨南亞區工業市場事業部工業應用技術中心資深經理周光祖表示，儘管SiC、GaN-on-Si寬能隙化合物半導體有助於提高電力轉換效率，然囿於初期所須挹注資金量龐大，讓不少半導體業者遲遲不敢貿然投入，不過觀察到太陽能、電動車等高毛利應用市場規模急速擴大之下，將使得半導體大廠投資信心大增，紛紛投入寬能隙化合物半導體研發。
現階段，發展寬能隙化合物半導體腳步最為快速的當屬英飛凌，在德國聯邦教育與研究部(BMBF)的資助下，該公司領軍的NEULAND研究計畫，將針對SiC與GaN-on-Si開發出適用於再生能源及其他適用領域的功率半導體，初期將瞄準太陽能為主力的市場。
不讓英飛凌專美於前，意法半導體、國際整流器、快捷等半導體大廠亦競相部署旗下寬能隙化合物半導體產品發展計畫，且各有押寶的技術，如國際整流器看好GaN-on-Si、快捷選擇發展SiC，至於意法半導體則同時研發GaN-on-Si和SiC，國際整流器和意法半導體均已有產品問世。
周光祖指出，意法半導體亦會進軍寬能隙化合物半導體市場，目前已掌握不少核心技術，有鑑於二極體(Diode)市場需求量大，初期意法半導體已發表採用SiC技術生產的二極體，將鎖定高階電源應用如太陽能等。未來，意法半導體將持續研發GaN-on-Si與SiC技術，惟產品藍圖尚未可對外公布。
