矽晶片/封裝技術加持 新MOSFET效能/體積齊優化

2011 年 06 月 23 日
新問世的NexFET Power Block透過矽晶片及封裝技術的突破,來滿足小尺寸產品的高效率及高電量需求,其所占空間約為離散式MOSFET的一半,可降低相關寄生效應,並使同步降壓電源配置,能夠在效能方面超越離散式MOSFET電晶體。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

低電壓FET/緩衝器加持 同步降壓電路雜訊顯著改善

2011 年 02 月 14 日

簡易驅動器助臂力 高功率LED照明成本效益大增

2011 年 10 月 17 日

針對照明系統要求 無線射頻控制網路巧妙搭配

2011 年 03 月 10 日

滿足低成本/低抖動需求 晶體緩衝器降低設計風險

2011 年 03 月 28 日

升壓PFC助陣 HB LED發光效率提升

2012 年 07 月 30 日

隔離層偏置供電設計靈活並簡化 DC/DC電源四架構大整併

2020 年 05 月 11 日
前一篇
第三勢力崛起 微軟芒果平台絕地反攻
下一篇
吸引台商投資 英國祭出多項太陽能優惠政策