有鑑於智慧型手機出貨量快速增長，而採用砷化鎵(GaAs)製程的3G手機功率放大器供貨卻捉襟見肘，CMOS功率放大器業者遂趁勢出擊，並以媲美砷化鎵功率放大器的效能及腳位相容的產品策略快速搶進，期搭上智慧型手機成長列車，為CMOS功率放大器搶占一席之地。
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| Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，該公司已擁有七十多項CMOS功率放大器的技術專利，為全球之最。 |
基於互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術的手機功率放大器( PA)攻勢再起。Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，長久以來，砷化鎵功率放大器一直有著供應短缺和高成本結構的問題，因此，行動裝置製造商亟需一種可替代的技術方案，而該公司所開發出的CMOS功率放大器，功能與腳位均與砷化鎵功率放大器完全相容，可使行動裝置製造商輕易將設計轉移至CMOS技術，從而獲得更低的成本與更可靠的供應鏈。
事實上，目前市場上所有的3G功率放大器產品仍以砷化鎵技術為主，但由於智慧型手機成長飛快且每支手機所需的3G功率放大器數量為2G手機的四至六倍，整體需求量更為龐大，即便砷化鎵業者已盡力擴充產能，仍舊經常發生供不應求的窘境，因而成為CMOS功率放大器業者見縫插針的絕佳時機。
為搶攻3G行動裝置市場，Black Sand已研發出BST34與BST35兩大3G CMOS功率放大器產品線，並採用台積電130奈米製程生產出六款涵蓋多個頻段的解決方案。其中，BST34系列是專門設計來取代現有3G砷化鎵功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。而BST35系列則導入該公司專屬的TrueDelivered高效能功率檢測器，可提高總輻射功率(TRP)至2dB以上，並可在實際工作環境中降低掉話率，及提高數據傳輸速率，不論輸出功率、線性度、效率和雜訊等效能指標均可達到，甚至超越砷化鎵方案。
Nohrden指出，與砷化鎵技術相比，CMOS功率放大器係使用標準的矽材料，而非稀有的金屬進行製造，且和現今砷化鎵業者合計的總產能相比，CMOS功率放大器擁有更強大的晶圓廠產能奧援，因此，不會像砷化鎵一樣再三出現短缺情形。此外，也可藉由類比和數位電路的設計，來保護敏感的電晶體，從而提高元件的可靠性。
兩個系列的首款產品將於2月供應樣品，並於第二季開始量產，而其餘產品也將在第二季陸續推出。Nohrden表示，目前Black Sand的產品主要將鎖定採用寬頻分碼多重存取(WCDMA)技術的3G行動裝置應用市場，尤其是以智慧型手機為主，目前正與電信業者洽商相關測試事宜。一旦WCDMA方案成熟後，也將投入CDMA2000 1xEV-DO及中國大陸3G標準分時-同步分碼多重存取(TD-SCDMA)等市場。
