碳化矽肖特基熱性能表現佳(2)

作者: Jennifer Joseph
2023 年 08 月 16 日
碳化矽是一種寬能隙的材料,因此與矽類的元件相比,它可以承受更高的電壓後才崩潰,以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特,且同時能夠在小型封裝中提供數十安培的正向電流。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

碳化矽肖特基熱性能表現佳(1)

2023 年 08 月 16 日

電源設計追求高效/低損耗 閘極驅動器巧助SiC設計

2020 年 08 月 17 日

導入CMOS隔離元件 太陽能逆變器可靠性倍增

2012 年 06 月 04 日

隔離層偏置供電設計靈活並簡化 DC/DC電源四架構大整併

2020 年 05 月 11 日

排除多重技術障礙 SiC MOSFET模組設計上手

2022 年 05 月 16 日

滿足高功率併網型應用 SiC實現低耗損/無縫功率轉換

2022 年 08 月 15 日
前一篇
2023荷蘭半導體週將於九月盛大舉辦
下一篇
碳化矽肖特基熱性能表現佳(1)