科銳(Cree)與台達能源系統(Delta Energy Systems)共同宣布成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計畫，台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)納入設計。碳化矽功率MOSFET的加入，使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。
科銳於2011年發表首款碳化矽功率MOSFET，具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效；而性能更顯著提升的第二代矽功率MOSFET將於2013年推出。
在這項具里程碑意義的產品面市後，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應商之一的台達能源系統公司，決定將科銳的碳化矽功率MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設計中。在11kW太陽能逆變器中採納科銳的1200V碳化矽功率MOSFET後，台達已能擴大直流輸入電壓範圍，同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。台達預計在2013年第二季推出的11kW加速器(Booster)，因為採用科銳的碳化矽功率MOSFET，其直流輸入電壓從900伏特(V)提升到1,000伏特。
科銳網址：www.cree.com
