格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將於2014年量產14奈米(nm)方案。為與台積電爭搶下一波行動裝置晶片製造商機，GLOBALFOUNDRIES將率先導入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構於14nm製程產品中，預計明年客戶即可開始投片，後年則可望大量生產。
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| GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業務執行副總裁Michael Noonen指出，3D FinFET架構具有低功耗優勢，將成為下一波半導體製造的主流技術。 |
GLOBALFOUNDRIES全球行銷暨業務執行副總裁Michael Noonen表示，隨著行動裝置功能日益豐富，消費者對於電池使用壽命的要求亦日趨嚴苛，促使半導體製程技術須持續向上精進，以利優化系統單晶片(SoC)的效能。為實現此一願景，在新一代14nm製程技術中採用3D FinFET架構，可將電流洩漏減到最低，延長電池使用壽命。
Noonen進一步指出，相較於現今2D平面式電晶體，3D FinFET藉由將導電通路設計於兩側，形成可控制電流流動的閘極環繞的3D鰭狀架構，可為行動裝置提升40～60%電池使用壽命，再加上14nm製程技術的助力，即可輕鬆解決行動裝置電池電力消耗過快的棘手挑戰。
有鑑於此，GLOBALFOUNDRIES下一代製程技術–14nm-XM即採用3D FinFET架構，並可運用該公司即將量產的20nm-LPM製程技術的矽智財(IP)，讓想利用FinFET SoC優勢的IC設計商能以最快的速度從20nm無縫轉移至14nm。
據了解，目前GLOBALFOUNDRIES已快馬加鞭展開14nm-XM技術研發工作，除開始提供製程設計套件(PDK)外，矽晶片也已在紐約薩拉托加郡的晶圓八廠進行測試中，明年將可進行投片試產，後年則進入量產階段，成為各大晶圓代工廠中，率先於14nm量產時程競賽中達陣的業者。
不光是GLOBALFOUNDRIES將在下一代製程技術中採用3D FinFET，台積電因應未來市場需求，亦於日前變動技術藍圖，將原本下一代14奈米製程改成較符合客戶需求的16奈米製程，而此一16奈米製程也將首度導入3D FinFET電晶體製程，預計投產時間為2015年。
另一方面，GLOBALFOUNDRIES在28奈米產品線的業務拓展亦大有斬獲。Noonen透露，目前GLOBALFOUNDRIES不但已取得許多國際IC設計大廠的訂單，且28nm產能利用率正快速攀升中，現階段月產量可達六～八萬片，連同32nm在內，每月總共可提供近三十萬片產量，足以滿足客戶的需求。
儘管GLOBALFOUNDRIES在先進製程的量產腳步不斷加快，但相較於台積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel)等競爭對手紛紛入股艾司摩爾(ASML)，以布局未來18吋晶圓商機，GLOBALFOUNDRIES則顯得略為保守。Noonen對此指出，18吋晶圓是否符合未來半導體製造成本仍是未定之數，GLOBALFOUNDRIES會藉由尋求合作機會進行仔細評估，並且持續密切關注產業最新動態與市場需求。
