工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體，將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限，難以持續改善晶片體積與耗電量；因此，除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外，工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發，預計今年即可進入試產階段。
工研院電光所奈米電子技術組組長顧子琨表示，行動、運算及消費性電子裝置均嚴格要求低功耗，對記憶體業者帶來更多技術挑戰；尤其受限於現有記憶體特性，每一代製程微縮將遭遇更艱難的電晶體漏電、晶圓耦合(Coupling)和浮動閘(Floating Gate)設計問題，且有可能在2015～2016年就觸及製程物理極限；因此，業界已傾向發展低耗電、小體積，非電荷儲存的次世代非揮發性記憶體技術，以順利跨越20奈米以下先進製程門檻。
據悉，MRAM與RRAM係目前市場上最受推崇的兩大主流方案，在三星(Samsung)、海力士(Hynix)、東芝(Toshiba)及美光(Micron)等記憶體大咖相繼投入下，可嵌入系統單晶片(SoC)的MRAM、RRAM矽智財(IP)，和單顆記憶體晶片發展已漸具雛型。其中，三星已在2012年發動購併攻勢，同步補強MRAM、RRAM生產技術；而東芝也與記憶體控制器開發商SanDisk合作，將於今年ISCC(IEEE Symposium on Computers and Communications)論壇，發表全球首款32Gbit RRAM。
面對國際大廠卡位動作頻頻，工研院電光所亦啟動相關研發計畫，發展MRAM與RRAM的製程、IP與周邊控制器電路專利，協助台灣記憶體製造廠、IP供應商趕上日韓業者產品開發腳步，提升在次世代非揮發性記憶體市場的競爭力。
顧子琨透露，該計畫已有優異成果，將旋即展開階段性技轉和試產。現階段，工研院正與國內合作夥伴研擬在12吋晶圓廠分別投產MRAM、RRAM晶片，並將於2015～2016年開始導入商用；初期工研院計畫鎖定行動裝置內建SoC，以MRAM取代SRAM做為內嵌記憶體，從而大幅縮減SoC尺寸及耗電量。
顧子琨強調，次世代非揮發性記憶體技術將牽動記憶體製造設備、材料、電路與控制器設計革新，要提升良率並降低成本還須經歷很長的學習曲線；因此，一旦台商自行擁有MRAM、RRAM關鍵專利，就能贏在起跑點，可望在未來幾年加速擺脫DRAM代工命運，不再隨著市場需求波動而頻頻虧損；同時也能突破Flash核心技術被美、日、韓系業者把持的不利局面，進而與國際大廠平起平坐。
