半導體製造商羅姆(ROHM)針對工控裝置和通訊裝置等電源電路，將150V GaN HEMT(以下稱為GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V。
近年來在伺服器系統等設備中，由於IoT裝置的需求日益增長，功率轉換效率的提升和裝置小型化已經成為重要的課題之一。
一直以來，ROHM持續研發與SiC元件和其他具有優勢的矽元件，以及在中等耐壓範圍具出色高頻工作性能的GaN元件。本次ROHM就現有GaN元件長期存在的課題，研發出可以提高閘極-源極額定電壓的技術，為各類應用提供更廣泛的電源解決方案。
與矽元件相比，GaN元件具有更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，因有助降低開關電源功耗及裝置小型化，所以在基地台和資料中心等設備中被寄予厚望。然而GaN元件的閘極-源極額定電壓較低，在開關工作期間可能會發生超過額定值的過衝電壓，在產品可靠性方面一直存在很大的問題。
上述背景下，ROHM利用獨創結構成功地將閘極-源極額定電壓從6V提高到了8V，這將有助採用高效率GaN元件的電源電路設計提升範圍和可靠性。此外，更針對此技術研發出專用封裝，不僅可透過更低的寄生電感徹底發揮元件性能，還能使產品更易於安裝在電路板上，並且具有更出色的散熱性，讓現有矽元件的替換和安裝製程操作上更加輕鬆。
今後ROHM將加快GaN元件的研發速度，預計於2021年9月即可開始提供樣品。
