羅姆(ROHM)已正式將適用於工業裝置、太陽能發電功率調節器(Power Conditioner)等變流器/轉換器(Inverter/Converter)的碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)模組(額定規格1200伏特(V)/180安培(A))投入量產。
該模組採用將功率半導體元件內建於碳化矽MOSFET的結構，將額定電流提高至180A，如此一來應用範圍更廣，還能有效協助各種裝置達到低功耗及小型化。該產品生產地點為羅姆總公司工廠，目前已開始樣品出貨。
為解決本體二極體(Body Diode)的通電劣化問題，羅姆採用第二代的碳化矽MOSFET，成功地研發出不需以二極體作為整流元件的碳化矽功率模組(碳化矽MOSFET模組)，藉由增加碳化矽MOSFET的配置面積，讓模組的體積維持不變，並同時達成大電流的目標。
內建碳化矽MOSFET可改善結晶缺陷相關的製程與元件結構，因此能成功地克服本體二極體等元件在可靠性上的問題。相較於一般轉換器所使用的矽質絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，可減少損耗達50%以上，除了降低損耗外，還能達到50kHz以上的高頻，也能使用較小型的周邊零件。
羅姆網址：www.rohm.com.tw
