羅姆半導體集團(ROHM Semiconductor, ROHM)宣布，該集團將與台達電在氮化鎵(GaN)功率元件的研發、量產上，締結戰略合作夥伴關係。結合台達電長年累積的先端電源研發技術，以及ROHM在功率元件研發、製造技術，雙方將共同研發電源系統中運用範圍極為廣泛的600V GaN功率元件。
ROHM常務執行董事CSO伊野和英表示，ROHM可以和在電源管理和散熱對策具全球領先地位的台達，締結以GaN功率元件為核心的戰略合作夥伴關係，個人感到非常高興。今後為了邁向減碳社會，ROHM重點產品之一的功率半導體市場角色，相信會更形重要。ROHM在從矽到碳化矽(SiC)、GaN等多元領域中的先端元件研發過程中，致力將元件性能發揮到極致，未來會持續強化研發控制IC，積極提出包含週邊元件的解決方案。透過這次的戰略合作夥伴關係，將成功實現GaN功率元件量產，有助建構高效電源系統，讓ROHM自豪的GaN整合功率模組(IPM)能儘早進行量產，持續擴大可符合客戶需求的產品陣容。
台達副董事長柯子興表示，GaN功率元件是今後深受業界關注的新世代半導體之一，過去幾年雙方進行了非常密切的交流，今年技術交流的成果是一個值得欣喜的里程碑，也象徵雙方的合作關係將更加緊密。對台達而言，積極推動GaN電源應用研發是今後的重點事業方向之一，除了在GaN產品面之外，我們也希望跟ROHM擅長的類比電源技術等有更多合作的機會，並且透過這樣的合作，共同努力為全球電源市場帶來全新的變化。
根據統計，電源和馬達約佔全球用電量的一半。因此，在實現減碳社會的過程中，電源和馬達的效率改善已逐漸成為全球性的課題。其中，掌握效率改善的關鍵就是功率元件，為了提升各種電源的效率，SiC和GaN等新世代半導體的運用也被寄予高度厚望。ROHM與台達透過長年以來的技術交流，在電源應用研發上建立了穩固的合作關係。今後雙方在戰略合作夥伴關係下，將積極進行GaN功率元件的研發、量產，並充分發揮GaN功率元件的性能，加速電源技術的革新，致力實現永續社會。
