美光(Micron)宣布，該公司的G9(第九代) TLC NAND顆粒已進入量產，採用該款顆粒的2650 NVMe SSD新產品亦已開始供應給客戶。美光G9 NAND傳輸速率達3.6GB/s，為資料讀寫提供無可比擬的頻寬。不論是在個人裝置、邊緣伺服器，或是企業及雲端資料中心，這顆NAND新品均可展現同級最佳效能，滿足人工智慧及其他運用大量資料的使用情境。
美光技術和產品執行副總裁Scott DeBoer表示，G9 NAND正式出貨，證明美光在製程技術與設計創新的實力。與目前市面上的競品相比，美光G9 NAND的密度提高73%，可建構體積更小、效能更高的儲存方案。
美光G9 NAND具有目前業界最高NAND I/O速率，符合工作負載處理大量資料的高吞吐量需求。和市面上現已出貨的其他NAND SSD產品相比，搭載G9 TLC NAND的2650 NVMe SSD資料傳輸速率加快50%；與現有NAND顆粒競品方案相較，美光G9 TLC NAND的每晶粒寫入頻寬擴大達99%、讀取頻寬擴大達88%，從每顆晶粒就占盡優勢，自然有助於SSD和嵌入式NAND解決方案的效能及功耗表現。
美光G9 NAND延續前代產品特色，採用11.5mm x 13.5mm封裝，體積較競品縮小28%，成為市售體積最小的高密度NAND。由於密度提高、體積縮小，更能自由設計各種使用情境。
美光執行副總裁暨事業長Sumit Sadana強調，該公司已在連續三個產品世代中，均引領業界推出創新和頂尖的NAND技術。美光G9 TLC NAND可為其整合產品提供顯著優於競品之表現，並可做為儲存創新的基礎，為各終端市場客戶創造價值。
美光2650 NVMe SSD提供領先同級產品的穩定度，主打有助效能的加速快取，藉由Dynamic SLC Cache，進一步提高寫入表現。美光2650 NVMe SSD為PCIe Gen4提供實際飽和效能，連續讀取速率高達7,000 MB/s，相較於競品，連續讀取速率最高提升70%、連續寫入速率最高提升103%、隨機讀取速率最高提升156%、隨機寫入速率最高提升85%。
