美光(Micron)與英特爾(Intel)日前共同發表新型非揮發性記憶體技術3D XPoint，將記憶體速度提升到NAND的一千倍。不讓對手專美於前，三星電子(Samsung Electronics)也宣布，開始量產業界第一款以48層3位元多層式儲存(MLC)陣列製成的256Gb 3D V-NAND快閃記憶體。
三星電子記憶體事業部總裁Young-Hyun Jun表示，這款第三代V-NAND快閃記憶體，是目前市面上最先進的記憶體解決方案，具有更高效能、能源使用效率及生產效益，將有助加速高效能與高密度固態硬碟(SSD)市場成長。透過V-NAND的特性，三星將可擴張高階企業與資料中心儲存市場版圖，同時強化SSD的戰略部署。
繼2014年8月推出第二代V-NAND(32層3位元MLC V-NAND)晶片，三星在短短1年內便推出第三代V-NAND(48層3位元MLC V-NAND)晶片。新推出的256Gb 3D V-NAND快閃記憶體晶片密度較傳統128Gb NAND快閃記憶體多一倍；除了在單一晶片上可儲存32GB(256Gb)，新的記憶體晶片亦可輕鬆將該公司現有SSD產品線的儲存容量增加一倍。
據悉，一個48層3位元MLC 256Gb V-NAND快閃記憶體晶片，其功耗較第二代減少了30%。而且在生產過程中只要利用現有的設備，與前一代相比，新的晶片還能實現超過40%以上的生產效率，對極具成本壓力的固態硬碟市場而言，可大幅降低生產成本。
