四核心晶片戰火愈來愈猛烈。有別於市面上四核心處理器多半採大核加小核的設計架構，聯發科、ST-Ericsson最新四核心方案相繼改走差異路線，前者押寶Cortex-A7核心，讓晶片運算效能既可媲美同級產品，又能大幅降低耗電量與尺寸；後者則導入新處理器架構並應用意法半導體(ST)獨特28奈米製程，以實現動態調整CPU電壓及頻率，使效能與功耗均衡發展。
工研院IEK系統IC與製程研究部研究員蔡金坤表示，為兼顧行動裝置效能與功耗，包括安謀國際(ARM)，以及輝達(NVIDIA)、德州儀器(TI)等晶片商紛紛開發整合大、小核心的四核系統單晶片(SoC)。此類架構雖為目前四核方案主流，但卻要求完善的中央處理器(CPU)切換、SoC電源管理機制，因而也帶來諸多技術挑戰，加重晶片商投資負擔。
蔡金坤進一步分析，利用大核加小核設計架構，雖可讓CPU各司其職，並滿足行動裝置高效能與低功耗運算需求，但也容易使得SoC內部電路架構變得複雜，增加待機功耗問題；所以須從改良SoC架構著手，擴充核心數目才有價值。
也因此，聯發科、ST-Ericsson遂另闢發展蹊徑，催生不一樣的四核心晶片。以聚焦中國大陸市場的聯發科為例，即採用Cortex-A7核心及28奈米(nm)製程，打造小尺寸、低功耗四核心方案，可提供較一般Cortex-A9四核處理器更高的性價比。
至於ST-Ericsson則在2013年國際消費性電子展(CES)展上，揭櫫旗下最新四核心行動SoC–NovaThor L8540 LTE ModAp。為在市場上後發先至，該公司除整合應用處理器與長程演進計畫(LTE)多頻多模數據機外，並透過28奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)製程，開發高效率四核心SoC設計架構–eQuad，使內部各個CPU具備電壓和頻率動態調整(DVFS)功能，並可在高驅動電壓、最高時脈2.5GHz，以及0.6伏特(V)超低電壓、800MHz時脈兩種模式下運作。
ST-Ericsson已計畫於2013年第一季推出四核SoC樣品，協助手機品牌廠開發支援LTE Category 4規範、WUXGA(1920×1200)顯示與超低耗電規格的高階行動裝置。ST-Ericsson總裁暨執行長Didier Lamouche表示，利用28奈米FD-SOI高效能、低漏電製程，該晶片可在不犧牲SoC整體效能的情況下，滿足業界對延長行動裝置續航力的殷切需求，將為整個行動產業發展帶來重大突破。
