英特爾(Intel)與美光科技(Micron)近日宣布，業界首見的4bits/cell(QLC)3D NAND快閃記憶體已開始投產與出貨，QLC NAND技術採用64層堆疊，使每顆晶粒(Die)的儲存密度達到1Tb，為目前儲存密度最高的快閃記憶體。
英特爾與美光聯手投入64層QLC 3D NAND技術開發，該技術採用「CMOS under the array (CuA)」架構，以縮小晶粒尺寸並提高性能。此外，新推出的NAND快閃記憶體，每個晶粒擁有4個儲存矩陣(Plane)，是其他競爭產品的兩倍，因此能同時寫入與讀取更多單元，並提供更快的傳輸速率以及更大的頻寬。
英特爾表示，64層QLC 3D NAND技術可在更小的空間內實現更高密度的儲存，為讀取密集型的雲端工作節省大量成本。此外，其也能作為計算相關應用提供成本優化的儲存解決方案。
英特爾與美光科技也宣布第三代3D NAND的發展進程。第三代3D NAND將採96層堆疊結構，堆疊層數比第二代3D NAND增加50%，有望達到Gb/mm2的儲存密度。
美光科技發展部執行副總裁Scott DeBoer表示，新的QLC NAND技術採用64層結構，使其陣列密度比TLC提高33%，而該公司也將持續研發並推動96層快閃記憶體技術之創新，將資料微縮在更小的空間中，以實現更高的工作負載。
