英飛凌於2008年開始量產第一個Bulk-CMOS射頻(RF)開關。接著在5G時代，英飛凌的產品組合與產品獲得全球無線市場的歡迎。如今，英飛凌射頻Bulk-CMOS開關的年產量已超過10億，累積對客戶的出貨量已逾50億組。
英飛凌射頻系統部門副總裁暨總經理Philipp von Schierstaedt表示，英飛凌憑藉其在半導體製造方面的專業知識與傳承，已成為所有OEM、ODM與晶片組經銷商的優良合作夥伴。絕佳的市場接受度證明了我們對射頻前端系統的洞察、技術實力、卓越的品質以及供應保證，這些正是英飛凌的生產策略。
Bulk-CMOS提供多項產品整合優勢。自1960年代「固態」面市以來，射頻開關的設計技術走向兩大類：微機電開關(MEMS)和固態開關。MEMS的低切換速度、薄弱的重複性及可靠性，使其無法成為5G應用的理想選擇。
同時，科學上的努力讓固態的發展有了多種技術選擇。相較於砷化鎵與氮化鎵，以Bulk-CMOS為基礎的電晶體–電晶體邏輯展現出優秀的整合能力，最終使空間受限的設計得以在印刷電路板上實現。不同於其他替代方案，Bulk-CMOS不需要額外的氧化層，也無需在晶圓處理中使用不同的材料，這意味著直接的經濟效益。
整體產業的步伐不斷加快，5G電信的出現也為OEM與ODM業者手中一系列的技術參數帶來令人雄心勃勃的挑戰。英飛凌也將開發更多能支持射頻工作者抱負的產品。
