英飛凌(Infineon)推出CoolMOS C7，擴充其高電壓產品組合，推出全新650伏特(V)超接面金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)技術。新款C7產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳RDS(on)，此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率。C7 適用於硬式切換拓樸，例如連續導通模式功率因子校正(CCM PFC)、雙電晶體順向式(TTF)與太陽能升壓。典型的應用為太陽能、伺服器、電信和不斷電系統(UPS)。C7擁有650伏特的崩潰電壓，因此也適合需要額外安全餘裕的應用。
英飛凌高電壓功率轉換產品部門主管Jan-Willem Reynaerts表示，C7系列延續英飛淩超接面CoolMOS技術的創新之路。憑藉著CoolMOS C7的最佳優值係數(RDS(on)*EOSS)，客戶得以設計出新一代結合更高的功率密度與效率的電源轉換系統。
C7系列提供低RDS(on)(TO-247封裝為19mΩ，TO-220和D2PAK封裝為45mΩ)。C7的快速切換效能現在可讓客戶產品首次以高於100kHz的切換頻率運作，同時在伺服器PFC等級達成鈦金級的效率。這可減少被動元件所需的空間，進而實現更高的功率密度。
此外，輸出電容(Eoss)中所減少的能源與低閘極電荷(Qg)，也可在輕負載狀況下提高效率。
結合同級最佳效能的C7、英飛凌新碳化矽(SiC) thinQ!第五代蕭基二極體系列與ICE2/ICE3控制IC，可為設計人員帶來無可比擬的CCM PFC電路效能。
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