英飛凌(Infineon)推出OptiMOS FD 200伏特(V)和250伏特。最新一代的Power 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)專為本體二極體硬式整流最佳化所設計，不僅提高產品耐用度、降低電壓尖波，還能降低逆向回復電荷(Qrr)損失，進而提高系統可靠度。產品適用於電信系統、工業用電源供應器、D類音頻放大器、48～110伏特(V)馬達控制系統及直流對交流(DC-AC)變頻器等硬式切換應用方面。
英飛凌直流對直流(DC-DC)系統部門資深協理Richard Kuncic表示，英飛凌再次提升200伏特和250伏特電壓等級的水平，隨著OptiMOS FD系列推出，英飛凌將持續提升切換效能。新一代的Power MOSFET協助客戶省下工程設計上的成本及時間，尤其是硬式整流等應用方面。
OptiMOS FD 200伏特和250伏特的Qrr，比標準的OptiMOS系列降低40%，進而減少電壓尖波，並省下緩震電路，提升系統可靠度。
最新OptiMOS FD提升了硬式整流的耐用度，可用於更嚴格的需求，dV/dt、dl/dt和電流密度都優於目前市場上的200伏特和250伏特技術，因此使用更方便，並可簡化設計流程；同時，比起其他同類裝置減少45%的導通電阻(RDS(on))和65% 的優值係數(FOM)，效率及功率密度皆獲提升。
英飛凌網址：www.infineon.com
