基於碳化矽(SiC)的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌(Infineon)宣布與英飛源(INFY)達成合作，英飛凌將為英飛源提供1,200V CoolSiC MOSFET功率半導體元件，用於提升電動車充電站的效率。
英飛凌零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer博士表示，英飛凌與英飛源在電動車充電解決方案領域的合作，將為當地電動車充電行業提供出色的系統級技術解決方案。它將大幅提高充電效率，加快充電速度，並為電動車車主創造更好的用戶體驗。
由於擁有高功率密度，SiC適用於開發高性能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術相比傳統的矽技術可將電動車充電站的效率提高1%，降低能耗和營運成本。以一座100kW的充電站為例，這意味著節省1kWh電能，每年節省270歐元成本，並減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率元件在電動車充電模組中的應用。
作為最早將溝槽閘技術用於電晶體的SiC功率半導體製造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設計。這些元件具有高閾值電壓，並簡化了閘極驅動。CoolSiC MOSFET技術在上市前已通過馬拉松應力試驗及閘極電壓跳變應力試驗，並在上市後定期進行監控，以確保擁有最高閘極可靠性。
採用英飛凌1,200V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30kW直流充電模組能夠實現寬恆功率範圍，高功率密度，最小電磁輻射和干擾，高保護性能，以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數電動車的快速充電需求，還能實現比市場上的其他解決方案高出1%的效率。
