英飛凌(Infineon)將大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品，每年可為英飛凌創造20億歐元的收入。
此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產製造長期戰略而做出的決策，居林工廠在8吋晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該專案打下了良好的基礎。英飛凌位於奧地利菲拉赫和德國德勒斯登的12吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。
英飛凌營運長Jochen Hanebeck表示，創新技術和綠電能源的應用，是降低碳排放的關鍵。再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力。正在將位於菲拉赫的開發能力中心與居林工廠高成本效益的寬能隙功率半導體生產製造相結合，打造成功的組合。
目前，英飛凌已向 3,000 多個客戶提供基於碳化矽的半導體產品。這些半導體產品在效率、尺寸和成本方面具有比矽基半導體更優異的系統性能，被廣泛應用於各個領域，為客戶創造了更高的價值。居林新廠區滿負荷運轉之後，將創造900個高價值型就業機會。新廠區將於今年6月開始施工，在2024年夏季進行設備安裝。首批晶圓將於2024年下半年開始出貨。對居林工廠的新增投資主要用於磊晶製程和晶圓切割等具有高附加值的環節。
