英飛凌(Infineon)推出了新一代OptiMOS源極底置(Source-Down, SD)功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。新款功率MOSFET採用PQFN封裝，尺寸為3.3×3.3mm2，支援從25V到100V的寬電壓範圍。可實現高效率、高功率密度以及熱性能指標，並降低BOM成本。應用涵蓋馬達驅動，適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS，以及電池管理系統等。
與傳統的漏極底置(Drain-Down)封裝相比，最新的源極底置封裝技術能夠讓元件的外形尺寸接近於裸晶片。漏極底置封裝採用源極底置封裝可使RDS(on)降低30％，這一技術創新能夠為系統設計帶來的主要優勢包括：縮小外形尺寸，從SuperSO8 5×6mm2封裝轉變到PQFN 3.3×3.3mm2封裝，可減少約65%的占板空間，進可提高終端系統的功率密度和系統效率。
此外，在源極底置封裝中，熱量透過導熱墊傳遞到PCB上，而非透過銲線或銅夾，以此來改善散熱效果。這也使得結殼熱阻(RthJC)從1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超過20%，實現熱性能。英飛凌提供兩種不同尺寸版本和配置選項：SD標準閘極和SD中央閘極。在標準閘極配置中，電氣連接的位置保持不變，方便將標準的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝；而在中央閘極配置封裝中，閘極引腳被移到中心位置以便於多個MOSFET並聯。
