英飛凌(Infineon)宣布推出採用TO無鉛封裝的汽車電源互補式金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。新型40伏特OptiMOS T2 MOSFET 結合創新封裝技術及英飛凌薄晶圓製程技術，擁有同級產品最佳規格。
英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包TO-220、TO-262及TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求，現今擴散焊接粘晶技術僅適用於上述三種英飛凌所提供的封裝形式，OptiMOS T2系列產品的量產已準備就緒。
英飛凌的MOSFET新系列產品超越現行歐盟RoHS對於含鉛銲錫封裝的規範。更嚴格的ELV RoHS 標準可能將於2014年施行，屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式。作為業界首款無鉛封裝MOSFET，英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。
英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理Frank Schwertlein表示，英飛凌在功率半導體和相關封裝技術方面皆為業界之首。而今，英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝之晶片供應商，提供汽車產業客戶因應未來，符合RoHS且環保之MOSFET，協助客戶開發節能的綠色產品。
英飛凌專利的無鉛黏晶(Die Attach)技術採用擴散焊接，可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質。此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程(60µm，標準為 175µm)，為功率半導體提供多項改良，包括不使用鉛及其他有毒物質；擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓製程；熱阻(RthJC)改善率高達40～50%等。此外，由於沒有焊錫流跡(Bleed-out)及晶片傾斜(Chip Tiltness)問題，以及更收斂的RDS(on)與 RthJC分布，提供更佳的可製造性。而降低產品內的機電應力，也提升產品可靠性和品質。
從新款OptiMOS T2 40V(如IPB160N04S4-02D，160A)的規格得知，其RDS(on)僅 2.0毫歐姆且RthJC僅0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品，其導通電阻降低約20%。此外，英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗，讓新型 OptiMOS T2 產品擁有同級產品中最佳效能。
英飛凌網址：www.infineon.com
