英飛凌(Infineon)宣佈推出採用先進溝槽技術製程的最新單一P通道 40伏特汽車電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品。新型40伏特OptiMOS P2 產品為提升能源效率、減少二氧化碳排放及節省成本設立新的基準，再次強化英飛凌在未來汽車應用電源管理方面的市場地位。
英飛凌新型P通道40伏特MOSFET系列產品具備業界最低的RDS(on)，並提供電流範圍50～180安培的各種標準封裝方式，衍生出 30 多款系列產品。180安培是P通道技術發展的一項標竿。由於P通道 40伏特OptiMOS P2產品是用作汽車橋式應用產品的高壓側開關，因此不需要額外的電荷泵裝置，可大幅節省成本並提升 EMI 效能。新產品整合脈衝寬頻調變(PWM)控制功能，相較於N通道MOSFET，具備更佳的散熱與雪崩能量表現，因此非常適用於電池反接保護及汽車馬達控制應用，例如電子動力轉向系統(EPS)馬達控制、三相與 H 型橋式 (H-bridge)馬達(雨刷、電子式駐煞車)、HVAC風扇控制及電動泵。
基於成本與效能上的優勢，業界趨勢明顯地朝向溝槽式MOSFET概念發展。以英飛凌第二代溝槽技術為基礎，OptiMOS P2具備低閘極電荷、低電容、低切換損失、高電流及絕佳的優值數(FoM；即 RDSon x Qg)規格，為電動馬達提供更高的效能，還能將 EMC 降至最低。舉例來說，其業界最低的RDS(on)2.4mΩ(採用 D2PAK封裝，10伏特)較市場上其他類型的MOSFET低三分之一。
英飛凌藉由推出新型P通道 40V 產品，擴展其廣獲汽車系統採用的馬達控制與橋式配置產品系列。橋式配置的高壓側與低壓側皆需要MOSFET。相較於 N 通道MOSFET，新型 P 通道裝置不需要額外的電荷泵，即可支援驅動直流刷馬達或無刷三相直流馬達的高壓側開關。同時由於P通道可透過簡單的驅動電路加以驅動，因此也可節省成本。若採用H型橋式馬達，平均可節省約5～10%的成本。
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