英飛凌/台積電將RRAM技術導入車用MCU

2022 年 12 月 09 日

英飛凌(Infineon)和台積電(TSMC)宣布雙方準備將台積電的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)非揮發性記憶體(NVM)技術引入英飛凌的新一代AURIX微控制器(MCU)。

自從引擎管理系統問世以來,嵌入式快閃微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要建構區塊。它們是潔淨、安全和智慧汽車的重要元件,用於推進系統、車輛動態控制、駕駛輔助和車身應用,可在汽車領域方面實現電氣化、全新E/E架構和自動駕駛方面的重大創新。目前,市場上的大多數MCU系列都是採用嵌入式快閃記憶體技術。RRAM則是嵌入式記憶體的下一階段,可望進一步擴展到28nm及以上製程。

英飛凌AURIX TC4x微控制器產品結合了效能擴展以及虛擬化、安全性及網路功能等最新趨勢,實現新一代軟體定義的車輛與全新E/E架構。台積電與英飛凌成功為車用領域導入RRAM奠定基礎。這將使AURIX微控制器具有更廣泛的技術和支援基礎。RRAM具有高抗干擾性,允許逐位元寫入且無須清除。其耐用性和資料保留效能具有與快閃記憶體技術匹配的效能。

英飛凌汽車微控制器部門資深副總裁暨總經理Thomas Boehm表示,基於台積電RRAM技術的AURIX將提升的ASIL-D效能、人工智慧功能更包含10Base T1S乙太網路和CAN-XL等最新網路介面,進一步擴展成功的領域。RRAM技術針對效能擴展、降低功耗和改善成本帶來巨大潛力。

英飛凌已向主要客戶提供基於台積電28 nm eFlash技術的AURIX TC4x系列產品樣品。第一批以28nm RRAM技術為基礎的樣品將於2023年底前供應給客戶。

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