英飛凌/AWL-Electricity以GaN功率半導體優化無線供電方案

2024 年 10 月 24 日

英飛凌(Infineon)近日宣布與總部位於加拿大的AWL-Electricity合作,後者是MHz級電容耦合諧振式電力傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN GS61008P,協助該公司開發先進的無線供電解決方案,為眾多產業開闢解決供電難題的新途徑。

此次合作將英飛凌的先進氮化鎵(GaN)技術與AWL-E創新的MHz級電容耦合諧振式電力傳輸系統相結合,實現了業界領先的無線供電效率。英飛凌的GaN電晶體技術具有極高的效率和功率密度,而且可在極高的開關頻率下工作。這使AWL-E能夠延長系統使用壽命、減少停機時間和運營成本,並提高產品的易用性。在汽車產業中,該技術可將車內體驗和座椅動態性提升到一個新的水準;在工業系統中,例如:包括自動導引車輛、機器人應用等,則可利用該技術獲得近乎無限的設計自由。此外,由於該技術可實現全密封式的系統設計,因此免除了配備充電埠的需求,從而減少了全球電池的使用量。

英飛凌電源與感測系統事業部全球夥伴與生態系統管理團隊的Falk Herm表示,透過與夥伴合作的方式,英飛凌再次證明了能夠充分發揮英飛凌CoolGaN技術的系統級優勢,提高緊湊性和效率。結合AWL-E與英飛凌雙方的互補能力,展示了GaN可以在MHz頻率下工作的特點,改變了功率電晶體的應用典範,帶來了更加環保、性能更好的產品。

AWL-E共同創始人、副總裁暨業務開發總監Francis Beauchamp-Verdon表示,英飛凌認為最終需要透過一個強大的產業生態滿足當今的功率需求,因此以獨特的方式讓AWL-E加入他們的大家庭。英飛凌的GaN電晶體、評估板和合作機會使AWL-E基於GaN的MHz級功率耦合系統得到普及。

英飛凌是目前唯一一家掌握所有功率技術,同時提供全部產品和技術組合的製造商,包括矽元件(例如SJ MOSFET、IGBT)、碳化矽元件(例如肖特基二極體和MOSFET)和氮化鎵元件(增強型HEMT)。其產品涵蓋了裸晶、離散元件和模組。

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